Raith 150 Two作為高分辨電子束曝光系統(tǒng),自推出以來全球銷量不容忽視。該系統(tǒng)被廣泛地用于研發(fā)和納米技術(shù)中心,已證明了系統(tǒng)的24/7使用的穩(wěn)定性。 Raith 150 Two可實(shí)現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu),可處理8”晶元及以下樣片。 環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性,提高設(shè)備對(duì)實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的容忍度,即使在相對(duì)糟糕的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下,也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行。 超高分辨曝光及成像 00001. 小于8nm曝光 00002. 低電壓曝光及成像 00003. 系統(tǒng)自動(dòng)化程度高 00004. 可處理8"樣片 00005. 隔墻安裝 / 熱穩(wěn)定性 研發(fā)及小批量生產(chǎn) 軟硬件的高自動(dòng)化程度保障了小批量生產(chǎn)中進(jìn)行簡(jiǎn)單且可重復(fù)性的曝光工作。 Raith 150 Two 高分辨的電子光學(xué)柱結(jié)合多種探測(cè)器可實(shí)現(xiàn)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記識(shí)別和過程控制中前所未有的靈活性。 Raith 150 Two 應(yīng)用 · 75nmT型柵高電子遷移率晶體管器件 · HSQ膠上制作亞4.5nm線條 · 采用traxx長(zhǎng)線條無寫場(chǎng)拼接曝光模式制作延遲波導(dǎo)結(jié)構(gòu) · 5um厚膠上制作三維菲涅爾透鏡陣列結(jié)構(gòu) · PMMA膠上制作精細(xì)的11nm線條 · PMMA膠上制作60nm周期光柵結(jié)構(gòu) RAITH150 Two 產(chǎn)品詳情 主要應(yīng)用: · 納米***光刻 · 高分辨成像 · 低電壓電子束光刻 樣品臺(tái): · 完整的6“ 移動(dòng)范圍 · Z軸移動(dòng)范圍大 | | 電子槍技術(shù): · Gemini · 電子 · 30 kV · Inlense二次電子探測(cè)器 · 能量選擇背散射二次電子探測(cè)器(選配) 獨(dú)特直寫模式: · traxx長(zhǎng)線條無寫場(chǎng)拼接曝光模式 · periodixx周期結(jié)構(gòu)無寫場(chǎng)拼接曝光模式 | |