SE2000全光譜橢偏測試平臺基于橢圓偏振測試技術(shù)，采用的旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器，結(jié)合光纖專li技術(shù)將偏振光信號傳輸至分段光譜優(yōu)化的高分辨率單色儀或陣列式多通道攝譜儀，測得線偏振光經(jīng)過樣品反射后的偏振態(tài)變化情況，并通過樣品光學(xué)模型的建立，計算出單層或多層薄膜結(jié)構(gòu)的厚度、折射率和消光系數(shù)，實現(xiàn)精確、快速、穩(wěn)定的寬光譜橢偏測試。

SE2000全光譜橢偏測試平臺是Semilab針對產(chǎn)線和實驗線推出的多功能高速測試平臺。模塊化的設(shè)計，可選配300mm樣品臺或350*450mm平板樣品臺，Robot上片系統(tǒng)，圖形識別系統(tǒng)和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)，實現(xiàn)高速在線監(jiān)控。在測試功能方面，可自由組合多種從190nm深紫外光譜至2400nm近紅外光譜的探測器，并可拓展FTIR紅外光譜測試模組、渦電流法非接觸式或4PP接觸式方塊電阻測試模組、Mueller Matrix各項異性材料測試模組、Raman結(jié)晶率測試模組、電子遷移率表征模組、LBIC光誘導(dǎo)電流測試模組、反射干涉測試模組等多種功能，使SE2000成為光學(xué)和電學(xué)特性表征綜合測試系統(tǒng)。

業(yè)界第yi***光譜型橢偏儀測試設(shè)備廠商

業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)測試機(jī)構(gòu)定標(biāo)設(shè)備，參與發(fā)布中華人民共和***橢圓偏振測試技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)

業(yè)界*寬測試光譜范圍，選配190nm-25um，并可自動切換快速探測模式和高精度探測模式

配置實時對焦傳感器，實現(xiàn)高速測量

選配Robot上片系統(tǒng)，圖形識別系統(tǒng)和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)，實現(xiàn)在線監(jiān)控

獨特的樣品臺結(jié)構(gòu)設(shè)計，優(yōu)化固定大尺寸的柔性材料

模塊化設(shè)計，可綜合監(jiān)控樣品光學(xué)和電學(xué)特性

定期免費升***SOPRA材料數(shù)據(jù)庫

開放光學(xué)模型擬合分析過程，方便用戶優(yōu)化測試菜單

光伏行業(yè)：薄膜電池透明導(dǎo)電膜、非晶硅微晶硅薄膜電池、CIGS薄膜電池、CdTe薄膜電池、有機(jī)電池、染劑敏感太陽能電池

半導(dǎo)體行業(yè)：High-K、Low-K、金屬、光刻工藝、半導(dǎo)體鍍膜工藝、外延工藝

平板顯示行業(yè)：TFT、OLED、LTPS、IGZO、彩色濾光片

光電行業(yè)：光波導(dǎo)、減反膜、III-V族器件、MEMS、溶膠凝膠

測試速度：＜1 sec （快速測試模式）
               ＜120 sec （高分辨率測試模式）

測量光譜分辨率：＜0.5nm@633nm （高分辨率測試模式）
                        ＜0.8nm@633nm （快速測試模式）

樣品尺寸： 300mm

厚度測量范圍：0.01nm-50um

厚度測試精度：0.02nm @120nm SiO2 on Si

折射率測試精度：0.002 @120nm SiO2 on Si