LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長(zhǎng)定制
價(jià) 格：詢價(jià)
產(chǎn) 地：德國(guó)更新時(shí)間：2020-10-28 10:11
品 牌：屹持光電技術(shù)型 號(hào)：LT-GaAs
狀 態(tài)：正常點(diǎn)擊量：2731
400-006-7520
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)說明是在上海非利加實(shí)業(yè)有限公司上看到的，謝謝！
聯(lián) 系 人：
上海非利加實(shí)業(yè)有限公司
電 話：
400-006-7520
傳 真：
400-006-7520
配送方式：
上海自提或三方快遞
聯(lián)系我時(shí)請(qǐng)說在上海非利加實(shí)業(yè)有限公司上看到的,謝謝！
LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長(zhǎng)定制
GaAs砷化鎵是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固體，熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不為非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵可作半導(dǎo)體材料，其電子遷移率高、介電常數(shù)小，能引入深能***雜質(zhì)、電子有效質(zhì)量小，能帶結(jié)構(gòu)特殊，可作外延片。
1、半導(dǎo)體光電子器件結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)
我們可在GaAs砷化鎵基底上生長(zhǎng)高質(zhì)量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜層，適用于不同應(yīng)用。
2、低溫砷化鎵
對(duì)于某些應(yīng)用需要快速響應(yīng)裝置，例如光學(xué)探測(cè)器、可飽和吸收器 或光電導(dǎo)天線。我們提供低溫外延生長(zhǎng)器件，響應(yīng)時(shí)間短至1 ps。
我們可提供以下在GaAs襯底上生長(zhǎng)的***個(gè)或兩個(gè)單層的低溫砷化鎵：
產(chǎn)品參數(shù)
參數(shù)：
砷化鎵晶片直徑：2“或4”
最大薄膜疊層厚度：5μm
規(guī)格：
LT-GaAs-50.8：2“（50.8mm）LT-GaAs晶片
LT-GaAs-100：4“（100mm）LT-GaAs晶片
LT-InGaAs-100：4“（100 mm）LT-InGaAs晶圓
LT-GaA-100-C：具有定制金屬結(jié)構(gòu)的4“（100 mm）LT-GaAs晶圓
產(chǎn)品介紹
LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長(zhǎng)定制
GaAs砷化鎵是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固體，熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不為非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵可作半導(dǎo)體材料，其電子遷移率高、介電常數(shù)小，能引入深能***雜質(zhì)、電子有效質(zhì)量小，能帶結(jié)構(gòu)特殊，可作外延片。
1、半導(dǎo)體光電子器件結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)
我們可在GaAs砷化鎵基底上生長(zhǎng)高質(zhì)量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜層，適用于不同應(yīng)用。
2、低溫砷化鎵
對(duì)于某些應(yīng)用需要快速響應(yīng)裝置，例如光學(xué)探測(cè)器、可飽和吸收器 或光電導(dǎo)天線。我們提供低溫外延生長(zhǎng)器件，響應(yīng)時(shí)間短至1 ps。
我們可提供以下在GaAs襯底上生長(zhǎng)的***個(gè)或兩個(gè)單層的低溫砷化鎵：
滬公網(wǎng)安備31011502016460號(hào)
