脈沖等離子體沉積(PPD)設(shè)備和有機分子束沉積(OMBD)設(shè)備
價 格:詢價
產(chǎn) 地:意大利更新時間:2020-09-23 15:01
品 牌:Organic Spintronics型 號:脈沖等離子體沉積(PPD)設(shè)備和有機分子束沉積(OMBD)設(shè)備
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意大利Organic Spintronics 公司建立于2003 年。Organic Spintronics 公司與意大利******研究委員會(CNR)特別是與委員會博洛尼亞分部的納米材料研究所(I.S.M.N.)在以下方面密切合作:
? 自旋電子材料和過程
? 創(chuàng)新薄膜沉積技術(shù)的發(fā)展
? 有機薄膜處理和診斷的發(fā)展
公司致力于發(fā)展商業(yè)技術(shù)來發(fā)展創(chuàng)新的基于有機半導體的自旋電子存儲器和邏輯元件和通過自旋極化注射來改進OLED 顯示器的效率。
脈沖等離子體沉積設(shè)備介紹:
Organic Spintronics公司與意大利******研究委員會納米材料研究所實驗室合作致力于提高包括SiC、單臂納米管、復雜光涂層、有機薄膜的沉積過程。脈沖等離子體沉積(Pulsed Plasma Deposition,PPD)作為PVD(物理氣相沉積)技術(shù)的***個選擇,可生長多種復合材料的高質(zhì)量薄膜。PPD也叫渠道火花燒蝕法(Channel Spark Ablation,CSA),或者脈沖電子束沉積(Pulsed Electron Deposition,PED),它是利用中空陰極管中的長管(通道)產(chǎn)生脈沖等離子體的毫微秒脈沖轟擊消融旋轉(zhuǎn)的靶材,原料蒸氣沉積在合適的加熱襯底上(***大1000 °C)形成薄膜。脈沖等離子體沉積在靶材表面產(chǎn)生高能量密度(500 MW/cm2)而不依賴于光學吸收。
脈沖等離子體沉積可沉積傳統(tǒng)技術(shù)不能制備的材料的高質(zhì)量薄膜。使用高能量效率使絕緣體的沉積速率從
10-3到5nm/s,通??稍诔^1”襯底上沉積薄膜。這套系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單耐用,比起脈沖
激光沉積來說,在安裝和運營成本方面非常便利,能量消耗特別低。系統(tǒng)的潛力在以下方面還具有可測量性:
? 用于生產(chǎn)異質(zhì)多層膜的多靶構(gòu)造
? 大面積應(yīng)用方面的復合源
脈沖等離子體沉積的應(yīng)用
? 高溫超導薄膜(如YBCO等)
? 巨磁阻的鐵磁薄膜(如LSMO等)
? 金屬
? 半導體
? 高非導電絕緣體
? 過渡層
? 硬質(zhì)涂層
? 透明導電氧化物薄膜(如TCO等)
? 超高溫材料
? 聚四氟乙烯
有機分子束沉積(OMBD) 設(shè)備和有機克努森池(Organic Knudsen Cell):
自旋電子學是信息通過載流子自旋傳輸?shù)?**門新學科。由于有機半導體的散射速率比無機半導體的要小幾個數(shù)量***,因此特別適合于自旋極化的傳輸。目前有機電子學是自旋電子學的***個新的領(lǐng)域,其中的自旋器件由有機半導體和磁性金屬組成,用OMBD制備的有機半導體和磁性金屬的結(jié)合可實現(xiàn)低散射速率和室溫操作。公司提供生長有機薄膜的元件有高真空和超高真空有機克努森池,專利的加熱元件經(jīng)過優(yōu)化產(chǎn)生極均勻和恒定的分子流量,對外部周圍環(huán)境具有低的熱傳導;對溫度梯度斷面得仔細設(shè)計排除了有機物在出口孔處的凝結(jié);三層鉭加熱屏提供了非常有效的熱屏蔽。
有機分子束沉積應(yīng)用領(lǐng)域:
有機半導體,OLED,有機絕緣體,磁傳感器, 非易失性存儲元件,邏輯自旋器件(自旋場效應(yīng)晶體管)