Ion Beam Assisted Deposition (離子輔助沉積)
離子輔助沉積已經(jīng)成為在無規(guī)取向的基片或無定形基片上沉積雙軸結(jié)構(gòu)薄膜的***種重要技術(shù)
高性能的IBAD(離子輔助沉積)系統(tǒng)
離子輔助沉積已經(jīng)成為在無規(guī)取向的基片或無定形基片上沉積雙軸結(jié)構(gòu)薄膜的***種重要技術(shù)。Neocera開發(fā)了離子輔助的PLD系統(tǒng),該系統(tǒng)將PLD在沉積復(fù)雜材料方面的優(yōu)勢與IBAD能力結(jié)合在***起。得到無人倫比的技術(shù)專***知識的支持Neocera離子輔助的PLD系統(tǒng)會得到重要應(yīng)用經(jīng)驗的支持。系統(tǒng)開發(fā)結(jié)合了Neocera的工程和工藝經(jīng)驗,保證了***大的用途和工藝性能。
利用離子輔助的PLD, Neocera在柔性多晶yttria穩(wěn)定的YSZ基片上,開發(fā)了具有下列性能的雙軸結(jié)構(gòu)的YBCO薄膜:
l X-ray F-scan full width at half maximum of ~7°
l 轉(zhuǎn)變溫度Tc在88-89K,轉(zhuǎn)變寬度DTc約為約為0.5 K
l 77 K零場強時,臨界電流密度Jc范圍; 1.5—2x106 A/cm2
l 77 K時,磁深入深度l: 284nm
l 77 K,10G時,表面電阻Rs等于700mW
Continuous Composition Spread (連續(xù)組成擴展)
***種基于脈沖激光沉積的、組合材料合成的新型連續(xù)組成擴展(CCS)方法。
經(jīng)濟的組合合成
組合合成是材料科學(xué)中***激動人心的***新進展。在***次鍍膜實驗中,生產(chǎn)多種不同材料組成的能力,大大的提高了獲得具有期望材料性能的***佳組成的速度。然而,現(xiàn)有組合合成系統(tǒng)的高成本對絕大多數(shù)研究預(yù)算來說都是不切合實際的。
得到Neocera PLD經(jīng)驗的支持
Neoceora已經(jīng)應(yīng)用我們豐富的PLD和開發(fā)性能可靠的經(jīng)濟型設(shè)備的經(jīng)驗,發(fā)明了PLD-CCS(脈沖激光沉積-連續(xù)組成擴展)系統(tǒng)。PLD-CCS受益于多層薄膜沉積的方便性和PLD工藝能在基片上改變二元,假二元,或三元體系的組成這***固有特性。
常規(guī)沉積條件下的組合合成
PLD-CCS能以連續(xù)的方式,而不是間隔的方式改變材料,沒有必要使用掩模。這就允許在每***次循環(huán)中,以小于***個單分子層的速率,快速連續(xù)沉積每***種組份,其結(jié)果是基本等同于共沉積法。事實上,該法無需在沉積后進行退火促進內(nèi)部擴散或結(jié)晶,對于生長溫度是關(guān)鍵參數(shù)的研究或者被沉積的材料或基片不適合高溫退火的情況是有用的。
Laser MBE (激光分子束外延)
***種納米尺度薄膜合成的理想方法,PLD和原位高壓RHEED的結(jié)合,
為單分子水平上的薄膜生長提供了精確控制。
使用激光MBE是納米技術(shù)研究的理想工具
激光MBE是普遍采用的術(shù)語,定義了高真空下的PLD與在線工藝監(jiān)測的反射高能電子衍射(RHEED)的聯(lián)合應(yīng)用。該法為用戶提供了類似于MBE的薄膜生長的單分子水平控制。隨著更多的PLD研究受到納米技術(shù)的驅(qū)動,激光MBE變得對用戶更加有益。
正確的設(shè)計是成功使用RHEED和PLD的重要因數(shù)
RHEED通常在高真空(<10-6 torr)環(huán)境下使用。然而,因為在某些特殊情況下,PLD采用較高的壓力,差動抽氣是必要的,維持RHEED槍的工作壓力,同時保持500 mTorr的PLD工藝壓力。同時,設(shè)計完整的系統(tǒng)消除磁場對電子束的影響是至關(guān)重要的。
Neocera的激光MBE系統(tǒng)為用戶在壓力達到500mTorr時所需的單分子層控制。