Vion Plasma FIB 儀器
價(jià) 格:詢價(jià)
產(chǎn) 地:美國(guó)更新時(shí)間:2020-11-25 14:52
品 牌:FEI型 號(hào):Vion Plasma
狀 態(tài):正常點(diǎn)擊量:1825
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Vion PFIB 是***款具有高精度、高速度切割和銑蝕能力的儀器。 其具有選擇性銑蝕所關(guān)注區(qū)域的能力。 此外,PFIB 可以選擇性沉積帶圖案的導(dǎo)體和絕緣體。 高速銑蝕和精密控制的結(jié)合可確保該系統(tǒng)以多種方法應(yīng)用于集成電路的制造,如:
| 凸起物、焊線、TSV 和晶片堆疊失效分析 手術(shù)刀般移除封裝和材料,實(shí)現(xiàn)嵌入芯片塊的失效分析和故障隔離 適用于封裝***流程監(jiān)控和開(kāi)發(fā) 封裝部件和 MEMS 設(shè)備的缺陷分析 |
> 下載 Vion 等離子 FIB 數(shù)據(jù)表
借助較傳統(tǒng)鎵離子 FIB 快 20 倍的銑蝕速度提高生產(chǎn)效率
? 快速精確的橫截面操作可揭示缺陷和表面下方特征
? 銑蝕和成像射束電流變化范圍寬廣(從數(shù) pA 至 1 μA 以上)
? 使用沉積化學(xué)來(lái)保護(hù)表面特征
? 可選的電荷中和器功能可實(shí)現(xiàn)對(duì)帶電結(jié)構(gòu)進(jìn)行切片
? 可選的背面硅使用、專利同軸氣體輸送噴嘴
? 通用硬件和軟件架構(gòu)以及其他 FEI FIB、SEM 和 DualBeam 儀器
產(chǎn)品參數(shù)
Vion 等離子聚焦離子束 | |
離子源 | Xe+ 電感耦合等離子 (ICP) |
加速 電壓 | 2 - 30 kV |
束電流 | 1.5 pA - 1.3 μA |
圖像分辨率 | < 30 nm |
樣品臺(tái) | 5 軸電動(dòng)同心 X、Y 移動(dòng) 150 mm 傾角 -10° - 60° 360° 旋轉(zhuǎn) |
操作系統(tǒng) | 基于 Windows? |